전자의 스핀 성질을 이용한 메모리를 MRAM(magnetic random access memory)이라고 하는데, 이 메모리는 현재 개발된 다양한 종류의 메모리의 장점만을 모아놓은 격이다. DRAM의 고집적,플래시메모리의 비휘발성(전원이 나가도 정보가 그대로 남아있는 성질), SRAM의 빠른 처리속도를 말이다. MRAM에 대한 잠재적인 ...
가능하고 저전력에서도 동작한다.F램(Ferroelectric Random Access Memory)은 강유전체램으로 정보를 기억하는 커패시터에 강유전물질을 사용하는 메모리 반도체다. 강유전체는 D램의 커패시터에 넣는 이산화규소와 달리 전원이 꺼져도 계속 정보를 유지하는 특성을 가지고 있다. 전하를 저장하는 커패시터에 ...
가능한 단면 2.6GB, 양면 5.2GB 용량의 DVD-RAM (Random Access Memory, 1997년, 일본 마쯔시타사 등)이 이미 나왔고, 용량을 높인 단면 기준 4.7GB 용량의 DVD램의 규격화가 마무리 단계에 있다. 또한 1천회 이상 기록이 가능한 단면 기준 4.7GB 용량의 DVD-RW(Rewritable)가 곧 제품화될 예정이다. 이처럼 최근의 광디스크는 ...
양이다. 현재 우리나라가 만들 수 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 최대 용량은 신문 8천장, 단행본 1백 60권, 60분 짜리 테이프 16개 분량의 정보를 기억할 수 있는 1Gb까지다. 하지만 놀랍게도 이렇게 많은 정보를 담고있는 DRAM은 엄지손가락 만한 크기의 플라스틱에 불과하다. 금속 발을 달고있는 ...
한 주역이기도 하다.반도체 기억장치를 램(RAM, RANDOM ACCESS MEMORY)이라고 부르기도 하는데, 그 이유는 반도체칩의 어느 부분이든 임의로 명령이나 데이터를 써 넣을 수 있고 이를 읽어낼 수 있기 때문이다. 이와 같은 램은 속도는 다소 느리지만 덩치가 작고 값이 싼 다이내믹램, 즉 D-Ram과 그 반대인 ...
롬메모리(ROM : Read Only Memory)와 램메모리(RAM : Random Access Memory)로 구분된다.램과 롬의 차이는 전원을 차단했을 때 저장된 정보가 지워지는가 아닌가에 있다. 롬에는 제작과정에서 정보를 저장하는 마스크 롬과, 제작후 전기적으로 정보를 써넣는 EP롬 등이 있으며, 정보를 지울 수 있는 EEP롬도 있다 ...
hard disk)는 20밀리초(1백분의 2초), D램(D RAM, dynamic random access memory)은 80 나노초 (즉 80×${10}^{-9}$)초)다. 또 최근에 등장한 플래시(flash) 메모리는 20 나노초다. 기계적인 가공정밀도의 측면에서 한번 생각해 보자.정밀도가 10㎛ 이상에 그치면 선반이나 연삭 등 일반기계가공 수준이고, 1~10㎛이면 ...
확대된 것은 1970년대초에 개발된 값싸고 빠른 RAM(Random Access Memory)칩이 개발되면서 부터다.휘트니부자와 컴퓨터 영화그래픽은 초기의 2차원 영상을 다루는 단계를 지나 보다 사실적인 3차원 물체까지 다룰 수 있게 되었다. 1970년대에 이르러 광추적 기법이 소개되고, 그것이 텔레비전 프로에 이용됨에 ...
쓰기도 하는 사람은 RAM으로 부른다. 원래 RAM은 Random Access Memory로서 무작위적으로 접근이 가능한 기억장치, 즉 읽고 쓸 수 있는 칩을 의미한다. 그러나 엠팰들의 RAM이란 단어는 Read And Mail이라서 읽고 쓰는 행위를 가리키는 것이나 '읽고 쓰는 사람'의 의미로 통용되는 것이다. 그리고 엠팰들은 단지 ...
메모리용 반도체도 롬(ROM, Read Only Memory)과 램(RAM, Random Access Memory)으로 구별된다. 롬은 일단 정보를 기억시키면 다시 바꿀 수 없는 기억전용소자로 사전과 같은 기능을 한다. 이에 비해 램은 기억된 정보를 지우고 새로운 정보를 기억시킬 수 있다.또한 램은 S(Static)램과 D(Dynamic)램으로 구별된다. D램은 ...
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